单片GaAs 3bit相位DAC的设计与实现(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张有涛 ; 夏冠群 ; 李拂晓 ; 高建峰 ; 杨乃彬 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 详细论述了用于数字射频存储器系统的单片超高速GaAs 3bit相位DAC的设计、制造及测试.在南京电子器件研究所标准75mm GaAs工艺线采用0. 5μm全离子注入MESFET工艺完成流片.芯片输入输出阻抗实现在片50Ω匹配.测试结果表明,其工作带宽大于1. 5GHz,相位精度小于4%,电路的码流翻转速率大于12Gbps. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50754]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张有涛,夏冠群,李拂晓,等. 单片GaAs 3bit相位DAC的设计与实现(英文)[J]. 半导体学报,2005(05). |
| APA | 张有涛,夏冠群,李拂晓,高建峰,&杨乃彬.(2005).单片GaAs 3bit相位DAC的设计与实现(英文).半导体学报(05). |
| MLA | 张有涛,et al."单片GaAs 3bit相位DAC的设计与实现(英文)".半导体学报 .05(2005). |
入库方式： OAI收割
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