InGaAsSb多量子阱材料的光致发光特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 唐田 ; 张永刚 ; 郑燕兰 ; 李爱珍 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | 抗反膜 GaInAsSb/GaSb 反射率I-V 黑体探测率 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性。通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一定范围内,随着阱厚的增加,其发射的光致发光波长也随着增加,但是随着阱厚增大,波长增加趋于平缓。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50759]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 唐田,张永刚,郑燕兰,等. InGaAsSb多量子阱材料的光致发光特性研究[J]. 功能材料与器件学报,2005(02). |
| APA | 唐田,张永刚,郑燕兰,&李爱珍.(2005).InGaAsSb多量子阱材料的光致发光特性研究.功能材料与器件学报(02). |
| MLA | 唐田,et al."InGaAsSb多量子阱材料的光致发光特性研究".功能材料与器件学报 .02(2005). |
入库方式： OAI收割
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