埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑中山 ; 刘忠立 ; 张国强 ; 李宁 ; 范楷 ; 张恩霞 ; 易万兵 ; 陈猛 ; 王曦 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | 相位体制模数转换器 表征 数字射频存储器 GaAsMESFET |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 研究了埋氧层中注氮后对制作出的部分耗尽SOInMOSFET的特性产生的影响 .实验发现 ,与不注氮的SIMOX基片相比 ,由注氮SIMON基片制作的nMOSFET的电子迁移率降低了 .且由最低注入剂量的SIMON基片制作的器件具有最低的迁移率 .随注入剂量的增加 ,迁移率略有上升 ,并趋于饱和 .分析认为 ,电子迁移率的降低是由于Si SiO2界面的不平整造成的 .实验还发现 ,随氮注入剂量的提高 ,nMOSFET的阈值电压往负向漂移 .但是 ,对应最低注入剂量的器件阈值电压却大于用SIMOX基片制作出的 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50765]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑中山,刘忠立,张国强,等. 埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响[J]. 物理学报,2005(01). |
| APA | 郑中山.,刘忠立.,张国强.,李宁.,范楷.,...&王曦.(2005).埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响.物理学报(01). |
| MLA | 郑中山,et al."埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响".物理学报 .01(2005). |
入库方式： OAI收割
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