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数字射频存储器用DAC静态参数的表征与测试

文献类型:期刊论文

作者张有涛 ; 夏冠群 ; 李拂晓 ; 高建峰 ; 杨乃彬
刊名半导体学报
出版日期2005
期号04
ISSN号0253-4177
中文摘要分析并讨论了应用于相位体制数字射频存储器的DAC静态参数的表征方法.提出用时间非线性(TDNL和TINL)、幅度非线性(ADNL和AINL)以及相位非线性(PNL)来全面描述相位体制DAC的静态性能.仿真结果证明上述静态参数对DAC的频域性能有着显著影响,用它们表征相位体制DAC的静态性能是必要且可行的.采用上述方法对利用标准75mmGaAsMESFET全离子注入工艺流片得到的3bit相位体制DAC进行了低频静态测试,其静态参数优异,性能良好.
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50767]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
张有涛,夏冠群,李拂晓,等. 数字射频存储器用DAC静态参数的表征与测试[J]. 半导体学报,2005(04).
APA 张有涛,夏冠群,李拂晓,高建峰,&杨乃彬.(2005).数字射频存储器用DAC静态参数的表征与测试.半导体学报(04).
MLA 张有涛,et al."数字射频存储器用DAC静态参数的表征与测试".半导体学报 .04(2005).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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