采用低温AlN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 雷本亮 ; 于广辉 ; 孟胜 ; 齐鸣 ; 李爱珍 |
| 刊名 | 光电子·激光
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 12 |
| 关键词 | 表面修饰 抗体 微流控芯片 富集 |
| ISSN号 | 1005-0086 |
| 中文摘要 | 采用低温AlN插入层在氢化物气相外延(HVPE)设备中生长出高质量GaN膜。X射线衍射(XRD)测量发现,低温AlN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量。低温(10K)光致发光(PL)谱测量表明,低温AlN插入层有助于释放GaN膜外延生长的应力。原子力显微镜(AFM)测量显示,GaN膜具有非常光滑的表面形貌,并估算出其位错密度约为3.3×108cm-2。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50775]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷本亮,于广辉,孟胜,等. 采用低温AlN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜[J]. 光电子·激光,2006(12). |
| APA | 雷本亮,于广辉,孟胜,齐鸣,&李爱珍.(2006).采用低温AlN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜.光电子·激光(12). |
| MLA | 雷本亮,et al."采用低温AlN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜".光电子·激光 .12(2006). |
入库方式： OAI收割
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