基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT
文献类型：期刊论文
| 作者 | 苏树兵 ; 徐安怀 ; 刘新宇 ; 齐鸣 ; 刘训春 ; 王润梅 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 硫化铅 络合 溶液化学 Tafel曲线 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 报道了一种以InGaAs为基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs双异质结晶体管,获得了直流性能良好的器件.其共射直流增益β达到100,残余电压Voffset约为0.4V,膝点电压Vknee约为1V,击穿电压BVceo超过10V,器件的基极和集电极电流理想因子分别为nb=1.16,nc=1.11,可应用于低功耗、高功率领域. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50779]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 苏树兵,徐安怀,刘新宇,等. 基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT[J]. 半导体学报,2006(06). |
| APA | 苏树兵,徐安怀,刘新宇,齐鸣,刘训春,&王润梅.(2006).基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT.半导体学报(06). |
| MLA | 苏树兵,et al."基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT".半导体学报 .06(2006). |
入库方式： OAI收割
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