CIS/CIGS基黄铜矿系光伏材料研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张晓科 ; 关勇辉 ; 王可 ; 解晶莹 |
| 刊名 | 稀有金属
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| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | 微流控芯片 蛋白质 乙胺 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | CuInSe2(CIS)/Cu(In,Ga)Se2(CIGS)半导体材料具有出色的光伏性能、丰富的缺陷物理内涵以及制备上的挑战,20多年来一直受到太阳能电池界和材料物理界的极大关注。介绍了CIS/CIGS基黄铜矿系光伏材料的微结构、缺陷物理模型。阐明了缺陷类型与材料电学性能的关系:Cu空位VCu是p型材料中的主要受主,Se空位VSe是n型材料中的主要施主;以及Na元素的作用:优化膜的形貌、提高膜的导电率、还能减小缺陷的浓度。综述了两种常用制备方法(蒸镀法、溅射法)的研究进展。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50787]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张晓科,关勇辉,王可,等. CIS/CIGS基黄铜矿系光伏材料研究进展[J]. 稀有金属,2006(04). |
| APA | 张晓科,关勇辉,王可,&解晶莹.(2006).CIS/CIGS基黄铜矿系光伏材料研究进展.稀有金属(04). |
| MLA | 张晓科,et al."CIS/CIGS基黄铜矿系光伏材料研究进展".稀有金属 .04(2006). |
入库方式： OAI收割
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