射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光
文献类型：期刊论文
| 作者 | 隋妍萍 ; 于广辉 ; 孟胜 ; 雷本亮 ; 王笑龙 ; 王新中 ; 齐鸣 |
| 刊名 | 发光学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 锂离子电池组 非耗散型均衡 耗散型均衡 均衡电路 |
| ISSN号 | 1000-7032 |
| 中文摘要 | 采用射频等离子体辅助分子束外延(RFplasma-assistedMBE)系统生长非故意掺杂GaN和p型GaN,并且通过室温和低温光致发光(PL)谱测试研究了材料的发光特性及与杂质态的关系,对于GaN外延层出现的黄带发光进行分析。结果表明,富Ga条件下生长的GaN材料特性要优于富N生长的材料;非故意掺杂的富Ga样品中出现的黄带发光(YL)与GaN中生成能最低的氮空位(VN)缺陷有关;不同的Mg掺杂浓度对样品的PL特性有较大的影响;结合Hall效应测量结果,认为在Mg重掺杂的样品中出现的黄带发光,与GaN的 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50798]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 隋妍萍,于广辉,孟胜,等. 射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光[J]. 发光学报,2006(06). |
| APA | 隋妍萍.,于广辉.,孟胜.,雷本亮.,王笑龙.,...&齐鸣.(2006).射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光.发光学报(06). |
| MLA | 隋妍萍,et al."射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光".发光学报 .06(2006). |
入库方式： OAI收割
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