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PbSe单晶薄膜的分子束外延及其表面微结构

文献类型:期刊论文

作者徐天宁 ; 吴惠桢 ; 斯剑霄 ; 曹春芳 ; 黄占超
刊名材料研究学报
出版日期2006
期号06
关键词SIMOX SOI Si离子注入 总剂量辐照效应 pseudo-MOS
ISSN号1005-3093
中文摘要用分子束外延技术在BaF_2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构.结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0.4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有单原子层平整度的表面台阶和螺旋结构;降低Se/PbSe束流比至0.2,首次在PbSe样品表面观察到规则的三角形纳米孔状结构;当Se/PbSe束流比为0时,PbSe薄膜表面出现三维岛状结构,应力只能得到部分弛豫.在BaF_2(111)衬底上分子束外延生长Pb
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50809]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
徐天宁,吴惠桢,斯剑霄,等. PbSe单晶薄膜的分子束外延及其表面微结构[J]. 材料研究学报,2006(06).
APA 徐天宁,吴惠桢,斯剑霄,曹春芳,&黄占超.(2006).PbSe单晶薄膜的分子束外延及其表面微结构.材料研究学报(06).
MLA 徐天宁,et al."PbSe单晶薄膜的分子束外延及其表面微结构".材料研究学报 .06(2006).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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