ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曹萌 ; 吴惠桢 ; 劳燕锋 ; 黄占超 ; 刘成 ; 张军 ; 江山 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | 无线传感器网络 分簇算法 路由协议 信道接入 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 为了研究ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤情况,用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP/InP应变多量子阱结构.采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀.通过测量刻蚀前、后量子阱结构的光致发光谱,确定了刻蚀75nm后样品损伤深度约为40nm,应用Rahman模型计算得到的理论损伤深度为43.5nm,两者符合得比较好.通过分析损伤产生的机理,认为产生损伤的主要原因是离子隧穿. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50811]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹萌,吴惠桢,劳燕锋,等. ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤[J]. 半导体学报,2006(01). |
| APA | 曹萌.,吴惠桢.,劳燕锋.,黄占超.,刘成.,...&江山.(2006).ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤.半导体学报(01). |
| MLA | 曹萌,et al."ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤".半导体学报 .01(2006). |
入库方式： OAI收割
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