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圆片级气密封装及通孔垂直互连研究

文献类型:期刊论文

作者王玉传 ; 朱大鹏 ; 许薇 ; 罗乐
刊名功能材料与器件学报
出版日期2006
期号06
关键词微加速度传感器 封装 有限元模拟
ISSN号1007-4252
中文摘要提出了一种新颖的圆片级气密封装结构。其中芯片互连采用了通孔垂直互连技术:KOH腐蚀和DR IE相结合的薄硅晶片通孔刻蚀技术、由下向上铜电镀的通孔金属化技术、纯Sn焊料气密键合和凸点制备相结合的通孔互连技术。整个工艺过程与IC工艺相匹配,并在圆片级的基础上完成,可实现互连密度200/cm2的垂直通孔密度。该结构在降低封装成本,提高封装密度的同时可有效地保护MEMS器件不受损伤。实验还对结构的键合强度和气密性进行了研究。初步实验表明,该结构能够满足M IL-STD对封装结构气密性的要求,同时其焊层键合强度可达
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50817]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
王玉传,朱大鹏,许薇,等. 圆片级气密封装及通孔垂直互连研究[J]. 功能材料与器件学报,2006(06).
APA 王玉传,朱大鹏,许薇,&罗乐.(2006).圆片级气密封装及通孔垂直互连研究.功能材料与器件学报(06).
MLA 王玉传,et al."圆片级气密封装及通孔垂直互连研究".功能材料与器件学报 .06(2006).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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