部分耗尽环栅CMOS/SOI总剂量辐射效应研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 贺威 ; 张恩霞 ; 钱聪 ; 张正选 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | 蓝牙 Adhoc网 微微网 轮询 时延 吞吐量 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)材料进行改性,在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS/SOI反相器,并对其进行60Coγ射线总剂量辐照试验。结果表明,受到同样总剂量辐射后,改性材料制作的反相器与标准SIMOX材料制作的反相器相比,转换电压漂移小的多,亚阈漏电也得到明显改善,具有较高的抗总剂量辐射水平。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50843]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贺威,张恩霞,钱聪,等. 部分耗尽环栅CMOS/SOI总剂量辐射效应研究[J]. 功能材料与器件学报,2006(04). |
| APA | 贺威,张恩霞,钱聪,&张正选.(2006).部分耗尽环栅CMOS/SOI总剂量辐射效应研究.功能材料与器件学报(04). |
| MLA | 贺威,et al."部分耗尽环栅CMOS/SOI总剂量辐射效应研究".功能材料与器件学报 .04(2006). |
入库方式： OAI收割
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