适合基站放大器应用的图形化SOILDMOSFET的设计与分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 程新红 ; 王洪涛 ; 宋朝瑞 ; 俞跃辉 ; 袁凯 ; 许仲德 |
| 刊名 | 温州师范学院学报(自然科学版)
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| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | 微型直接甲醇燃料电池 催化剂 质子交换膜 膜电极组件 甲醇渗透 |
| ISSN号 | 1006-0375 |
| 中文摘要 | 设计了一种新型图形化SOI(patterned-Silicon-On-Insulator)LDMOSFET(lateraldouble-diffusedMOSFETs)结构,埋氧层在沟道下方是间断的.工艺和性能模拟分析表明,此结构具有SOI器件低泄漏电流和低输出电容的特性,而且能抑制自加热效应和浮体效应.当漂移区长度为3μm时,开态击穿电压可达到30V、关态电压为71V、截止频率6.2GHz、最大振荡频率20GHz,2GHz时、栅偏压3V时的输出功率为0.8W/mm、功率增益为28dB.这些电学参数适合2 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50851]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红,王洪涛,宋朝瑞,等. 适合基站放大器应用的图形化SOILDMOSFET的设计与分析[J]. 温州师范学院学报(自然科学版),2006(02). |
| APA | 程新红,王洪涛,宋朝瑞,俞跃辉,袁凯,&许仲德.(2006).适合基站放大器应用的图形化SOILDMOSFET的设计与分析.温州师范学院学报(自然科学版)(02). |
| MLA | 程新红,et al."适合基站放大器应用的图形化SOILDMOSFET的设计与分析".温州师范学院学报(自然科学版) .02(2006). |
入库方式： OAI收割
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