高浓度弛豫SiGe/SOI材料的制备研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 程新利 ; 张峰 |
| 刊名 | 苏州科技学院学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | 金属材料 TiN MOCVD 等离子体处理 薄膜电阻 |
| ISSN号 | 1672-0687 |
| 中文摘要 | 对SOI(绝缘体上的硅)衬底上外延生长的SiGe层进行了研究,并利用透射电镜、AES、Raman光谱、X-ray多晶衍射等技术对SiGe/SOI材料做了表征。结果表明:制备的材料中Ge/Si元素分布均匀,SiGe层是高度弛豫的,SiGe层中应变通过产生失配位错被释放出来。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50852]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新利,张峰. 高浓度弛豫SiGe/SOI材料的制备研究[J]. 苏州科技学院学报,2006(01). |
| APA | 程新利,&张峰.(2006).高浓度弛豫SiGe/SOI材料的制备研究.苏州科技学院学报(01). |
| MLA | 程新利,et al."高浓度弛豫SiGe/SOI材料的制备研究".苏州科技学院学报 .01(2006). |
入库方式： OAI收割
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