InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 余晨辉 ; 王茺 ; 龚谦 ; 张波 ; 陆卫 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 09 |
| 关键词 | MOEMS技术 磁场传感器 扭转微镜面 双光纤准直器 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及GaAs衬底等)的调制信号.来自表面量子点本身的调制信号是多个清晰的调制峰.用一阶和三阶微分洛伦兹线形对PzR谱中对应结构的实验数据进行了拟合,精确确定了与样品的各个组成结构相对应的调制峰的能量位置.对不同样品PzR谱的差异进行了定性的说明. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50855]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 余晨辉,王茺,龚谦,等. InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究[J]. 物理学报,2006(09). |
| APA | 余晨辉,王茺,龚谦,张波,&陆卫.(2006).InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究.物理学报(09). |
| MLA | 余晨辉,et al."InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究".物理学报 .09(2006). |
入库方式： OAI收割
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