脉冲激光沉积氮化铝薄膜的电学性能研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 门传玲 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | 卫星 星载计算机 硬件 软件 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 采用脉冲激光沉积(PLD)技术在硅片上合成了A lN薄膜。X射线衍射(XRD)结果证实制备的A lN薄膜具有(002)择优取向的六方纤锌矿晶体结构,并且结晶质量随Si衬底温度的提高而改善。电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)、极化曲线结果表明室温生长的A lN薄膜的击穿场强约2.5MV/cm,同时呈现明显的极化现象(类铁电),对应矫顽场强为150kV/cm,剩余极化为0.002C/m2。晶态A lN存在较强的自发极化,薄膜中可动电荷密度高,据此提出了动态电荷模型,指出较大的A lN薄膜极化回线是由于 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50876]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 门传玲,林成鲁. 脉冲激光沉积氮化铝薄膜的电学性能研究[J]. 功能材料与器件学报,2006(04). |
| APA | 门传玲,&林成鲁.(2006).脉冲激光沉积氮化铝薄膜的电学性能研究.功能材料与器件学报(04). |
| MLA | 门传玲,et al."脉冲激光沉积氮化铝薄膜的电学性能研究".功能材料与器件学报 .04(2006). |
入库方式： OAI收割
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