氧化对SOI基SiGe薄膜残余应变弛豫的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 金波 ; 王曦 ; 陈静 ; 张峰 ; 程新利 ; 陈志君 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | 可重配平台 Tcl/Tk SPARCV8架构 星载计算机内核 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 研究了氧化对外延在SOI衬底上的Si Ge薄膜的残余应变弛豫过程的影响.通过对Si Ge薄膜采用不同工艺的氧化,从而了解不同氧化条件对SOI基Si Ge薄膜的应变弛豫过程的影响.氧化将会促使Si Ge薄膜中的Ge原子扩散到SOI材料的顶层硅中.而Si Ge薄膜的残余应变弛豫过程将会与Ge原子的扩散过程同时进行.通过对Si Ge薄膜和SOI顶层硅中位错分布的分析发现在氧化过程中,Si Ge薄膜和SOI衬底之间存在一个应力传递的过程. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50897]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金波,王曦,陈静,等. 氧化对SOI基SiGe薄膜残余应变弛豫的影响[J]. 半导体学报,2006(01). |
| APA | 金波,王曦,陈静,张峰,程新利,&陈志君.(2006).氧化对SOI基SiGe薄膜残余应变弛豫的影响.半导体学报(01). |
| MLA | 金波,et al."氧化对SOI基SiGe薄膜残余应变弛豫的影响".半导体学报 .01(2006). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。