离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴惠桢 ; 曹萌 ; 劳燕锋 ; 刘成 ; 谢正生 ; 曹春芳 |
| 刊名 | 功能材料信息
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| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 镁基储氢合金 Ti_(0.32)Cr_(0.35)V_(0.07)Fe_(0.26) 机械化学法 储放氢性能 |
| 中文摘要 | 采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面使量子阱表面变粗糙,使出射光逃逸几率增大;另一方面Ar离子隧穿引起的量子阱内部微结构变化则是发光效率提高的主要原因。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50905]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴惠桢,曹萌,劳燕锋,等. 离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理[J]. 功能材料信息,2006(03). |
| APA | 吴惠桢,曹萌,劳燕锋,刘成,谢正生,&曹春芳.(2006).离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理.功能材料信息(03). |
| MLA | 吴惠桢,et al."离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理".功能材料信息 .03(2006). |
入库方式： OAI收割
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