SOI MOSFET器件X射线总剂量效应研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 何玉娟 ; 师谦 ; 李斌 ; 林丽 ; 张正选 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | 分子自组装 抗体固定 蛋白质芯片 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keV X射线对埋氧层加固样品与未加固的对比样品在开态和传输门态两种辐照偏置下进行辐照,分析了器件的特性曲线,并计算了SOI MOS器件前栅与寄生背栅晶体管辐照前后的阈值电压的漂移。实验结果表明,加固样品的抗辐射性能优越,且不同的辐照偏置对SOI MOSFET器件的辐照效应产生不同的影响。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50906]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何玉娟,师谦,李斌,等. SOI MOSFET器件X射线总剂量效应研究[J]. 半导体技术,2006(05). |
| APA | 何玉娟,师谦,李斌,林丽,&张正选.(2006).SOI MOSFET器件X射线总剂量效应研究.半导体技术(05). |
| MLA | 何玉娟,et al."SOI MOSFET器件X射线总剂量效应研究".半导体技术 .05(2006). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。