氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈志君 ; 张峰 ; 王永进 ; 金波 ; 陈静 ; 张正选 ; 王曦 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | 微能源 微型燃料电池 微型质子交换膜燃料电池 微机电系统 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 提出一种氧化增强注氧隔离工艺,在退火前氧化得到SiO2层,再进行高温退火得到绝缘体上的硅锗材料。经X射线摇摆曲线和拉曼测试发现所制备的绝缘体上的SiGe材料锗含量没有发生损失,且应变弛豫完全。透射电镜和二次离子质谱分析结果显示样品多层结构清晰,埋氧层质量完好、平整度高、无不连续、无硅岛。研究表明,氧化增加工艺的引入是绝缘体上的硅锗材料锗质量提高的关键。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50923]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈志君,张峰,王永进,等. 氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗[J]. 功能材料与器件学报,2006(01). |
| APA | 陈志君.,张峰.,王永进.,金波.,陈静.,...&王曦.(2006).氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗.功能材料与器件学报(01). |
| MLA | 陈志君,et al."氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗".功能材料与器件学报 .01(2006). |
入库方式： OAI收割
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