用于MEMS结构的光刻胶牺牲层接触平坦化技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邢向龙 ; 焦继伟 ; Mark Daffron ; 王跃林 ; Hyung Choi |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | 类金刚石膜 微机电系统 黏附 悬臂梁 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 实验研究一种新颖的光刻胶牺牲层的接触平坦化(contact planarization)技术,应用于MEMS结构制作。实验研究了温度与光刻胶流动性的关系,以及牺牲层厚度、施加压力和温度、MEMS结构密度等因素对平坦化效果的影响,在优化条件下,牺牲层的起伏台阶从2μm减小到20~40nm。与化学机械抛光技术相比,接触平坦化无明显凹陷(D ishing)效应,无衬底损伤,同时呈现出良好的局部和总体均匀性。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50929]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邢向龙,焦继伟,Mark Daffron,等. 用于MEMS结构的光刻胶牺牲层接触平坦化技术[J]. 功能材料与器件学报,2006(02). |
| APA | 邢向龙,焦继伟,Mark Daffron,王跃林,&Hyung Choi.(2006).用于MEMS结构的光刻胶牺牲层接触平坦化技术.功能材料与器件学报(02). |
| MLA | 邢向龙,et al."用于MEMS结构的光刻胶牺牲层接触平坦化技术".功能材料与器件学报 .02(2006). |
入库方式： OAI收割
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