碳纳米管场发射机理述评
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张继华 ; 杨传仁 ; 王曦 |
| 刊名 | 材料导报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | 绝缘体上硅(SOI) 总剂量辐照效应 环栅结构 H型栅结构 |
| ISSN号 | 1005-023X |
| 中文摘要 | 较全面地介绍了碳纳米管场发射研究10年来在发射机理方面的研究结果,包括场发射能量分布、逸出功、发射模型以及发射稳定性和失效等问题,并介绍了相关方面的研究结果。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50939]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张继华,杨传仁,王曦. 碳纳米管场发射机理述评[J]. 材料导报,2006(02). |
| APA | 张继华,杨传仁,&王曦.(2006).碳纳米管场发射机理述评.材料导报(02). |
| MLA | 张继华,et al."碳纳米管场发射机理述评".材料导报 .02(2006). |
入库方式： OAI收割
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