Cl_2基气体感应耦合等离子体刻蚀GaN的工艺
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘北平 ; 李晓良 ; 朱海波 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 07 |
| 关键词 | AlN薄膜 极化 电学性能 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 采用Cl2/He对GaN基片进行感应耦合等离子体刻蚀,并比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar对GaN基片进行刻蚀的优劣.实验中通过改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量和气体组分等方式,讨论了这些因素对刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实验结果表明,用Cl2/He气体刻蚀GaN材料可以获得较高的刻蚀速率,最高可达420nm/min.同时刻蚀后GaN材料的表面形貌也较为平整,均方根粗糙度(RMS)可达1nm以下.SEM图像显示刻蚀后表面光洁,刻蚀端面陡直.最后比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50941]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘北平,李晓良,朱海波. Cl_2基气体感应耦合等离子体刻蚀GaN的工艺[J]. 半导体学报,2006(07). |
| APA | 刘北平,李晓良,&朱海波.(2006).Cl_2基气体感应耦合等离子体刻蚀GaN的工艺.半导体学报(07). |
| MLA | 刘北平,et al."Cl_2基气体感应耦合等离子体刻蚀GaN的工艺".半导体学报 .07(2006). |
入库方式： OAI收割
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