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128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究

文献类型:期刊论文

作者吕衍秋 ; 徐运华 ; 韩冰 ; 孔令才 ; 亢勇 ; 庄春泉 ; 吴小利 ; 张永刚 ; 龚海梅
刊名红外与毫米波学报
出版日期2006
期号05
关键词太赫兹 量子阱探测器 探测响应率
ISSN号1001-9014
中文摘要报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温I-V、响应光谱和探测率,在278K时平均峰值探测率为1.03×1012cmHz1/2W-1.实现了128元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连,经封装后,在室温(291K)时成功测出128元响应信号.焦平面响应的不均匀性为18.3%
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50949]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
吕衍秋,徐运华,韩冰,等. 128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究[J]. 红外与毫米波学报,2006(05).
APA 吕衍秋.,徐运华.,韩冰.,孔令才.,亢勇.,...&龚海梅.(2006).128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究.红外与毫米波学报(05).
MLA 吕衍秋,et al."128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究".红外与毫米波学报 .05(2006).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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