基于0·25μm GaAs PHEMT工艺的32GHz毫米波单片功率放大器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 顾建忠 ; 张健 ; 喻筱静 ; 钱蓉 ; 李凌云 ; 孙晓玮 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 12 |
| 关键词 | 寡核苷酸芯片 乙型肝炎病毒 基因多态性 杂交 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 设计、制造和测试了基于0·25μm栅长GaAs工艺的32GHz毫米波单片功率放大器.该功率放大器采用三级放大,工作电压为6V,工作电流为600mA.带内最大小信号增益为17·4dB,在32GHz具有0·5W的饱和功率输出. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50963]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 顾建忠,张健,喻筱静,等. 基于0·25μm GaAs PHEMT工艺的32GHz毫米波单片功率放大器[J]. 半导体学报,2006(12). |
| APA | 顾建忠,张健,喻筱静,钱蓉,李凌云,&孙晓玮.(2006).基于0·25μm GaAs PHEMT工艺的32GHz毫米波单片功率放大器.半导体学报(12). |
| MLA | 顾建忠,et al."基于0·25μm GaAs PHEMT工艺的32GHz毫米波单片功率放大器".半导体学报 .12(2006). |
入库方式： OAI收割
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