TiN薄膜的循环制备和电学性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 易万兵 ; 张文杰 ; 吴瑾 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 材料研究学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | 图形化SOI LDMOSFET 功率放大器 基站 |
| ISSN号 | 1005-3093 |
| 中文摘要 | 用金属有机物化学气相淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)制备了 TiN 薄膜,通过不同循环制备的、厚度相同的平面薄膜电阻率的比较研究了 TiN 薄膜的电学性质．结果表明,多次循环会引入界面而增大电阻率, 与薄膜成分和微结构分析的结果一致．得到了单循环的最优厚度以使样品电阻率最低．通过相同循环、不同厚度样品在真实器件中电学性能的比较,发现介窗(Via)直径越小,TiN 薄膜对介窗电阻的影响越大． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50972]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 易万兵,张文杰,吴瑾,等. TiN薄膜的循环制备和电学性质[J]. 材料研究学报,2006(02). |
| APA | 易万兵,张文杰,吴瑾,&邹世昌.(2006).TiN薄膜的循环制备和电学性质.材料研究学报(02). |
| MLA | 易万兵,et al."TiN薄膜的循环制备和电学性质".材料研究学报 .02(2006). |
入库方式： OAI收割
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