InGaP/GaAs HBT器件研究中的几个重要问题
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林玲 ; 徐安怀 ; 孙晓玮 ; 齐鸣 |
| 刊名 | 中国电子科学研究院学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 多径信道 时间延迟 伪随机序列 |
| ISSN号 | 1673-5692 |
| 中文摘要 | 本文分析了InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)微波器件研制中的一些重要问题,优化了发射结阻挡层厚度,解决离子注入实现器件隔离的问题,设计制备出发射极尺寸为(3μm×40μm)×3的HBT单管,并进行了测试。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50983]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林玲,徐安怀,孙晓玮,等. InGaP/GaAs HBT器件研究中的几个重要问题[J]. 中国电子科学研究院学报,2006(03). |
| APA | 林玲,徐安怀,孙晓玮,&齐鸣.(2006).InGaP/GaAs HBT器件研究中的几个重要问题.中国电子科学研究院学报(03). |
| MLA | 林玲,et al."InGaP/GaAs HBT器件研究中的几个重要问题".中国电子科学研究院学报 .03(2006). |
入库方式： OAI收割
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