MBE生长的InP DHBT的性能(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 苏树兵 ; 刘新宇 ; 徐安怀 ; 于进勇 ; 齐鸣 ; 刘训春 ; 王润梅 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | 正交频分复用 载波偏差估计算法 载波跟踪环 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 报道了一种自对准InP/InGaAs双异质结双极晶体管的器件性能.成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件,其峰值共射直流增益超过300,残余电压约为0·16V,膝点电压仅为0·6V,而击穿电压约为6V.器件的截至频率达到80GHz ,最大震荡频率为40GHz .这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50993]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 苏树兵,刘新宇,徐安怀,等. MBE生长的InP DHBT的性能(英文)[J]. 半导体学报,2006(05). |
| APA | 苏树兵.,刘新宇.,徐安怀.,于进勇.,齐鸣.,...&王润梅.(2006).MBE生长的InP DHBT的性能(英文).半导体学报(05). |
| MLA | 苏树兵,et al."MBE生长的InP DHBT的性能(英文)".半导体学报 .05(2006). |
入库方式： OAI收割
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