ULSI化学机械抛光(CMP)材料去除机制模型
文献类型：期刊论文
| 作者 | 钟旻 ; 张楷亮 ; 宋志棠 ; 封松林 |
| 刊名 | 润滑与密封
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | 硅-绝缘体 体连接 横向双扩散金属氧化物半导体 |
| ISSN号 | 0254-0150 |
| 中文摘要 | CMP已成为IC制造中的关键工艺之一,相关机制模型的研究是当前CMP的热点。综述了考虑抛光液的流动、抛光垫的弹性和硬度、研磨颗粒的大小和硬度等不同因素的机制模型,并对基于不同假设的模型作了分析和比较。最后对CMP模型未来的发展和研究方向提出了展望。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51001]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟旻,张楷亮,宋志棠,等. ULSI化学机械抛光(CMP)材料去除机制模型[J]. 润滑与密封,2006(05). |
| APA | 钟旻,张楷亮,宋志棠,&封松林.(2006).ULSI化学机械抛光(CMP)材料去除机制模型.润滑与密封(05). |
| MLA | 钟旻,et al."ULSI化学机械抛光(CMP)材料去除机制模型".润滑与密封 .05(2006). |
入库方式： OAI收割
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