离子束增强沉积法制备二氧化铪薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陶凯 ; 俞跃辉 ; 郑智宏 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 图形化PSOI 横向双扩散MOSFET 击穿电压 结构优化 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 利用离子束增强沉积(IBED)技术在硅衬底上沉积得到50nm的二氧化铪薄膜。卢瑟福背散射(RBS)的结果指出样品表面有过量氧元素存在。X射线光电子能谱(XPS)显示退火前后薄膜内部化学键没有变化。透射电子显微镜(TEM)表明界面处有非晶铪氧硅化合物生成。电子衍射(ED)显示所制备的二氧化铪薄膜呈现长程无序、区域有序的多晶态。实验为HfO2作为高尼电介质在集成电路制造中的应用提供了一种简单有效的方法。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51013]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陶凯,俞跃辉,郑智宏,等. 离子束增强沉积法制备二氧化铪薄膜[J]. 半导体技术,2006(03). |
| APA | 陶凯,俞跃辉,郑智宏,&邹世昌.(2006).离子束增强沉积法制备二氧化铪薄膜.半导体技术(03). |
| MLA | 陶凯,et al."离子束增强沉积法制备二氧化铪薄膜".半导体技术 .03(2006). |
入库方式： OAI收割
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