电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结
文献类型：期刊论文
| 作者 | 武慧珍 ; 茹国平 ; 张永刚 ; 金成国 ; 水野文二 ; 蒋玉龙 ; 屈新萍 ; 李炳宗 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 11 |
| 关键词 | 痰标本 结核分枝杆菌DNA 抽提 显色法 耐药基因 基因芯片 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p+层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51017]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武慧珍,茹国平,张永刚,等. 电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结[J]. 半导体学报,2006(11). |
| APA | 武慧珍.,茹国平.,张永刚.,金成国.,水野文二.,...&李炳宗.(2006).电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结.半导体学报(11). |
| MLA | 武慧珍,et al."电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结".半导体学报 .11(2006). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。