气态源分子束外延8元In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP光伏探测器阵列
文献类型：期刊论文
| 作者 | 田招兵 ; 张永刚 ; 李爱珍 ; 顾溢 |
| 刊名 | 半导体光电
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | 热分析 CFD 超级计算机 机箱 传导和对流 优化 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| 中文摘要 | 采用气态源分子束外延(GSMBE)生长技术结合常规半导体工艺制成了正进光台面型8元In0.53Ga0.47As/InP光伏探测器阵列,并对其特性进行了测量,结果表明GSMBE生长的材料具有很好的均匀性。探测器阵列在室温下具有良好的性能,在-10 mV反偏下探测器的暗电流约173 pA,单元间的相对标准差为1.3%;器件的峰值探测率为4.7×1011cm.Hz1/2/W,单元间的相对标准差为0.9%。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51037]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田招兵,张永刚,李爱珍,等. 气态源分子束外延8元In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP光伏探测器阵列[J]. 半导体光电,2006(05). |
| APA | 田招兵,张永刚,李爱珍,&顾溢.(2006).气态源分子束外延8元In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP光伏探测器阵列.半导体光电(05). |
| MLA | 田招兵,et al."气态源分子束外延8元In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP光伏探测器阵列".半导体光电 .05(2006). |
入库方式： OAI收割
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