一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 史明甫 ; 焦继伟 ; 包晓清 ; 冯飞 ; 杨恒 ; 李铁 ; 王跃林 |
| 刊名 | 传感技术学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | 正交相位输出压控振荡器 CMOS 并联耦合支路 相位噪声 低功耗 |
| ISSN号 | 1004-1699 |
| 中文摘要 | 研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米沟道阵列。在两种不同的离子束刻蚀条件下,在2μm图形内分别制备出单纳米沟道和双纳米沟道,最小宽度可达440nm. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51041]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 史明甫,焦继伟,包晓清,等. 一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术[J]. 传感技术学报,2006(05). |
| APA | 史明甫.,焦继伟.,包晓清.,冯飞.,杨恒.,...&王跃林.(2006).一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术.传感技术学报(05). |
| MLA | 史明甫,et al."一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术".传感技术学报 .05(2006). |
入库方式： OAI收割
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