新型PSOI LDMOSFET的结构优化
文献类型：期刊论文
| 作者 | 程新红 ; 宋朝瑞 ; 俞跃辉 ; 姜丽娟 ; 许仲德 |
| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 微流控芯片 温控 同工酶 活性检测 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 针对沟道下方开硅窗口的图形化SOI(PSOI)横向双扩散MOSFET(LDMOSFET)进行了结构优化分析,发现存在优化的漂移区长度和掺杂浓度以及顶层硅厚度使PSOILDMOSFET具有最大的击穿电压和较低的开态电阻。PSOI结构的RESURF条件为Nd·tsi=1.8～3×1012cm-2。对结构优化的PSOILDMOSFET进行了开态输出特性模拟,输出特性曲线没有曲翘现象和负导现象,开态击穿电压可达到16V,器件有源区的温度降低了50℃。结构优化有利于提高器件性能和降低器件的开发成本。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51045]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红,宋朝瑞,俞跃辉,等. 新型PSOI LDMOSFET的结构优化[J]. 半导体技术,2006(06). |
| APA | 程新红,宋朝瑞,俞跃辉,姜丽娟,&许仲德.(2006).新型PSOI LDMOSFET的结构优化.半导体技术(06). |
| MLA | 程新红,et al."新型PSOI LDMOSFET的结构优化".半导体技术 .06(2006). |
入库方式： OAI收割
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