相变存储器曝光工艺研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吕士龙 ; 宋志棠 ; 封松林 |
| 刊名 | 微纳电子技术
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| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 动态参数 相位数模转换器 频域测试 谐波 |
| ISSN号 | 1671-4776 |
| 中文摘要 | 介绍了在相变材料上的曝光工艺研究,得出了相应的工艺条件,研究了邻近效应的影响以及利用邻近效应制作nm量级间隔大电极对的方法。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51047]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕士龙,宋志棠,封松林. 相变存储器曝光工艺研究[J]. 微纳电子技术,2006(06). |
| APA | 吕士龙,宋志棠,&封松林.(2006).相变存储器曝光工艺研究.微纳电子技术(06). |
| MLA | 吕士龙,et al."相变存储器曝光工艺研究".微纳电子技术 .06(2006). |
入库方式： OAI收割
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