铝互连线的电迁移问题及超深亚微米技术下的挑战
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张文杰 ; 易万兵 ; 吴瑾 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 10 |
| 关键词 | AB_5合金 微结构 X射线衍射(XRD) |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点,其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一.从20世纪90年代开始,超深亚微米(特征尺寸≤0·18μm)铝互连技术面临了更加复杂的电迁移可靠性问题.从电迁移理论出发,分析概括了铝互连电迁移问题的研究方法,总结了上世纪至今关于铝互连电迁移问题的主要经验;最后结合已知的结论和目前芯片制造业现状,分析了当前超深亚微米铝互连线电迁移可靠性挑战的原因和表现形式,提出了解决这些问题的总方向. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51058]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张文杰,易万兵,吴瑾. 铝互连线的电迁移问题及超深亚微米技术下的挑战[J]. 物理学报,2006(10). |
| APA | 张文杰,易万兵,&吴瑾.(2006).铝互连线的电迁移问题及超深亚微米技术下的挑战.物理学报(10). |
| MLA | 张文杰,et al."铝互连线的电迁移问题及超深亚微米技术下的挑战".物理学报 .10(2006). |
入库方式： OAI收割
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