采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管的性能(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 苏树兵 ; 刘训春 ; 刘新宇 ; 于进勇 ; 王润梅 ; 徐安怀 ; 齐鸣 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 二氧化铪 离子束增强沉积 高k电介质 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管.采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件.该器件的共射直流增益达到170,残余电压约为0·2V,膝点电压仅为0·5V,而击穿电压超过了2V.器件的截止频率达到85GHz ,最大振荡频率为72GHz ,这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51067]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 苏树兵,刘训春,刘新宇,等. 采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管的性能(英文)[J]. 半导体学报,2006(03). |
| APA | 苏树兵.,刘训春.,刘新宇.,于进勇.,王润梅.,...&齐鸣.(2006).采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管的性能(英文).半导体学报(03). |
| MLA | 苏树兵,et al."采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管的性能(英文)".半导体学报 .03(2006). |
入库方式： OAI收割
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