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相变存储器器件单元测试系统

文献类型:期刊论文

作者梁爽 ; 宋志棠 ; 刘波 ; 陈小刚 ; 封松林
刊名半导体技术
出版日期2006
期号08
关键词光伏材料 CIS/CIGS 缺陷 蒸镀法 溅射法
ISSN号1003-353X
中文摘要通过计算机控制脉冲信号发生器和数字信号源等硬件设备,实现对硫系化合物随机存储器(C-RAM)器件性能的测试。该系统主要有电流与电压关系测试、电压与电流关系测试、电阻与所加的脉冲信号关系的测试和疲劳特性测试等模块组成。通过这些测试从而找出写脉冲信号与擦脉冲信号的高度和宽度的最佳参数、C-RAM器件的阈值电压、循环寿命等重要参数。此系统不仅为研究C-RAM器件的速度、功耗、可靠性等提供了一个途径,又为C-RAM的工艺和结构参数的研究提供了试验平台。
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51075]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
梁爽,宋志棠,刘波,等. 相变存储器器件单元测试系统[J]. 半导体技术,2006(08).
APA 梁爽,宋志棠,刘波,陈小刚,&封松林.(2006).相变存储器器件单元测试系统.半导体技术(08).
MLA 梁爽,et al."相变存储器器件单元测试系统".半导体技术 .08(2006).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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