带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙浩 ; 齐鸣 ; 徐安怀 ; 艾立鹍 ; 苏树兵 ; 刘新宇 ; 刘训春 ; 钱鹤 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 08 |
| 关键词 | 偏离最佳 光学邻近效应 制程窗口 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs/InPDHBT集电结导带有效势垒高度和I-V特性的影响.结果表明,当n+-InP插入层掺杂浓度为3×1019cm-3、厚度为3nm时,可以获得较好的器件特性.采用气态源分子束外延(GSMBE)技术成功地生长出InP/InGaAs/InPDHBT |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51077]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙浩,齐鸣,徐安怀,等. 带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析[J]. 半导体学报,2006(08). |
| APA | 孙浩.,齐鸣.,徐安怀.,艾立鹍.,苏树兵.,...&钱鹤.(2006).带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析.半导体学报(08). |
| MLA | 孙浩,et al."带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析".半导体学报 .08(2006). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。