162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 于进勇 ; 严北平 ; 苏树兵 ; 刘训春 ; 王润梅 ; 徐安怀 ; 齐 鸣 ; 刘新宇 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 10 |
| 关键词 | 半导体技术 化学镀Ni-P 纯锡凸点 高温回流 Ni_3Sn_4金属间化合物 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流IC=34·2 mA的条件下,发射极面积为0·8μm×12μm的InP HBT截止频率fT为162GHz ,最大振荡频率fmax为52GHz ,最大直流增益为120,偏移电压为0·10V,击穿电压BVCEO达到3·8V(IC=0·1μA) .这种器件非常适合在高速低功耗方面的应用,例如OEIC接收机以及模拟数字转换器. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51099]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于进勇,严北平,苏树兵,等. 162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文)[J]. 半导体学报,2006(10). |
| APA | 于进勇.,严北平.,苏树兵.,刘训春.,王润梅.,...&刘新宇.(2006).162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文).半导体学报(10). |
| MLA | 于进勇,et al."162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文)".半导体学报 .10(2006). |
入库方式： OAI收割
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