利用ISSG退火技术实现沉积二氧化硅薄膜平坦化
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陶凯 ; 孙震海 ; 孙凌 ; 郭国超 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 10 |
| 关键词 | 并行分组交换机 两阶段交换机 平均时延 流指数 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 利用现场水汽生成(in-situsteamgeneration,ISSG)退火这种新型的低压快速氧化热退火技术,在对沉积二氧化硅薄膜热退火的同时进行补偿氧化生长,最终实现了沉积二氧化硅薄膜的平坦化.实验数据表明,ISSG退火补偿生长后整个晶圆表面的薄膜厚度波动(最大值与最小值之差)从0·76nm降到了0·16nm,49点厚度值的标准偏差从0·25nm降到了0·04nm.同时,薄膜的隧穿场强增加到4·3MV/cm,硅氧界面与传统的氧气快速退火工艺相比更为良好.实验结果为二氧化硅薄膜平坦化提供了新的思路,对实 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51101]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陶凯,孙震海,孙凌,等. 利用ISSG退火技术实现沉积二氧化硅薄膜平坦化[J]. 半导体学报,2006(10). |
| APA | 陶凯,孙震海,孙凌,&郭国超.(2006).利用ISSG退火技术实现沉积二氧化硅薄膜平坦化.半导体学报(10). |
| MLA | 陶凯,et al."利用ISSG退火技术实现沉积二氧化硅薄膜平坦化".半导体学报 .10(2006). |
入库方式： OAI收割
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