环栅CMOS/SOI的X射线总剂量辐射效应研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 贺威 ; 张恩霞 ; 钱聪 ; 张正选 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 关键词 | 无线传感器网络 信道接入控制协议 低能耗 竞争机制 |
| 中文摘要 | 采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)绝缘体上硅(SOI)材料作出改性,分别在改性材料和标准SIMOXSOI材料上制作部分耗尽环型栅CMOS/SOI器件,并采用10keVX射线对其进行了总剂量辐照试验。实验表明,同样的辐射总剂量条件下,采用改性材料制作的器件与标准SIMOX材料制作的器件相比,阈值电压漂移小得多,亚阈漏电也得到明显改善,说明改性SIMOXSOI材料具有优越的抗总剂量辐射能力。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51109]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贺威,张恩霞,钱聪,等. 环栅CMOS/SOI的X射线总剂量辐射效应研究[J]. 固体电子学研究与进展,2007(03). |
| APA | 贺威,张恩霞,钱聪,&张正选.(2007).环栅CMOS/SOI的X射线总剂量辐射效应研究.固体电子学研究与进展(03). |
| MLA | 贺威,et al."环栅CMOS/SOI的X射线总剂量辐射效应研究".固体电子学研究与进展 .03(2007). |
入库方式： OAI收割
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