Si离子注入对SIMOX SOI材料抗总剂量辐照性能的影响(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨慧 ; 张恩霞 ; 张正选 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 低温金属键合 垂直腔面发射激光器 反射谱 光致荧光谱 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 为了提高SIMOX SOI材料抗总剂量辐照的能力,采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料.辐照前后,用pseudo-MOSFET方法测试样品的ID-VG特性曲线.结果表明,合适的硅离子注入工艺能有效提高材料抗总剂量辐照的能力. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51138]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨慧,张恩霞,张正选. Si离子注入对SIMOX SOI材料抗总剂量辐照性能的影响(英文)[J]. 半导体学报,2007(03). |
| APA | 杨慧,张恩霞,&张正选.(2007).Si离子注入对SIMOX SOI材料抗总剂量辐照性能的影响(英文).半导体学报(03). |
| MLA | 杨慧,et al."Si离子注入对SIMOX SOI材料抗总剂量辐照性能的影响(英文)".半导体学报 .03(2007). |
入库方式： OAI收割
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