SiO_2/Si上直流磁控反应溅射制备AlN薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 范克彬 ; 沈伟东 ; 王立春 ; 熊斌 |
| 刊名 | 材料科学与工程学报
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | 原子力显微镜 微纳结构 硬件 软件 悬臂梁 力学测试 |
| ISSN号 | 1673-2812 |
| 中文摘要 | 利用正交设计分析了直流磁控溅射中溅射气压,衬底温度和N2浓度对SiO2/Si衬底上制备的AlN薄膜的(002)择优取向的影响水平。利用X-射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶向和表面形貌进行了分析,得到制备高度择优取向的AlN薄膜的最佳期望条件:衬底温度为250℃,溅射气压为2Pa,N2浓度为75%;并得出了氮气浓度对薄膜的(002)择优取向的影响较大。具有择优取向的AlN薄膜的折射率约为2.06。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51140]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范克彬,沈伟东,王立春,等. SiO_2/Si上直流磁控反应溅射制备AlN薄膜[J]. 材料科学与工程学报,2007(01). |
| APA | 范克彬,沈伟东,王立春,&熊斌.(2007).SiO_2/Si上直流磁控反应溅射制备AlN薄膜.材料科学与工程学报(01). |
| MLA | 范克彬,et al."SiO_2/Si上直流磁控反应溅射制备AlN薄膜".材料科学与工程学报 .01(2007). |
入库方式： OAI收割
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