PSII法制备DLC膜的纳米摩擦性能研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李新 ; 唐桢安 ; 徐军 ; 鲍海飞 |
| 刊名 | 真空
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| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | 16SrDNA 微阵列芯片 根管致病菌 |
| ISSN号 | 1002-0322 |
| 中文摘要 | 微机电系统(MEMS)的研究引起了人们的极大关注,摩擦行为是影响MEMS性能的关键因素之一。本文采用等离子源离子注入(PSII)技术在硅衬底上制备薄膜,利用Raman光谱表征制备薄膜的类金刚石特性。详细介绍了采用原子力显微镜(AFM)进行纳米摩擦实验的原理,并利用其研究制得DLC膜的纳米摩擦特性。研究结果表明,制得DLC膜的摩擦系数较小,具有耐磨损性能,而且反应气体流量对薄膜的纳米摩擦特性有较大影响。PSII技术制备的DLC膜具有较好的纳米摩擦特性,并有望使可动MEMS的摩擦问题得到真正意义上的突破。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51193]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李新,唐桢安,徐军,等. PSII法制备DLC膜的纳米摩擦性能研究[J]. 真空,2007(05). |
| APA | 李新,唐桢安,徐军,&鲍海飞.(2007).PSII法制备DLC膜的纳米摩擦性能研究.真空(05). |
| MLA | 李新,et al."PSII法制备DLC膜的纳米摩擦性能研究".真空 .05(2007). |
入库方式： OAI收割
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