气态源分子束外延Al_xGa_(1-x)As(x=0~1)材料中Si的掺杂行为研究(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李华 ; 李爱珍 ; 张永刚 ; 齐鸣 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | 交流内阻测量法 锂离子电池组 内阻测量 锁相环电路 |
| ISSN号 | 1001-9014 |
| 中文摘要 | 研究了Si在AlxGa1-xAs(0≤x≤1)中的掺杂行为.为比较Al組份对Si掺杂浓度的影响,在用气态源分子束外延生长(GSMBE)掺Si n型AlxGa1-xAs(0≤x≤1)的所有样品时,n型掺杂剂Si炉的温度恒定不变.用Hall效应测量外延层的自由载流子浓度和迁移率,用X射线双晶衍射迴摆曲线测量外延层的组份.测试结果表明,当AlxGa1-xAs中Al组份从0增至0.38时,Si的掺杂浓度从4×1018cm-3降至7.8×1016cm-3,电子迁移率从1900 cm2/Vs降至100 cm2/Vs. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51199]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李华,李爱珍,张永刚,等. 气态源分子束外延Al_xGa_(1-x)As(x=0~1)材料中Si的掺杂行为研究(英文)[J]. 红外与毫米波学报,2007(01). |
| APA | 李华,李爱珍,张永刚,&齐鸣.(2007).气态源分子束外延Al_xGa_(1-x)As(x=0~1)材料中Si的掺杂行为研究(英文).红外与毫米波学报(01). |
| MLA | 李华,et al."气态源分子束外延Al_xGa_(1-x)As(x=0~1)材料中Si的掺杂行为研究(英文)".红外与毫米波学报 .01(2007). |
入库方式： OAI收割
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