部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐射效应的最恶劣偏置状态(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 俞文杰 ; 张正选 ; 张恩霞 ; 钱聪 ; 贺威 ; 田浩 ; 陈明 ; 王茹 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 电子商务 网络营销 电子营销 网络广告 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 通过实验研究了部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐射效应与辐射时的偏置状态的关系,实验结果表明TG(Transition Gate)是最恶劣的偏置状态。随后分别用MEDICI模拟软件和数值模型模拟掩埋氧化层中的电场强度与空穴俘获率。模拟结果合理地解释了实验结果,掩埋氧化层中的高电场和高空穴俘获率是TG为最恶劣偏置状态的主要原因。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51215]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 俞文杰,张正选,张恩霞,等. 部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐射效应的最恶劣偏置状态(英文)[J]. 功能材料与器件学报,2007(06). |
| APA | 俞文杰.,张正选.,张恩霞.,钱聪.,贺威.,...&王茹.(2007).部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐射效应的最恶劣偏置状态(英文).功能材料与器件学报(06). |
| MLA | 俞文杰,et al."部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐射效应的最恶劣偏置状态(英文)".功能材料与器件学报 .06(2007). |
入库方式： OAI收割
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