SOI NMOS晶体管在高剂量的X射线与~(60) Coγ射线辐射作用下的背栅阈值电压漂移饱和效应的研究及比对
文献类型：期刊论文
| 作者 | 田浩 ; 张正选 ; 张恩霞 ; 贺威 ; 俞文杰 ; 王茹 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 06 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 关键词 | Pd合金 纳米粒子 氧还原反应 电催化 抗甲醇 |
| 中文摘要 | 利用标准SIMOX材料制作了部分耗尽环型栅NMOS晶体管,并在ON偏置条件下分别对其进行了10keV X射线及~(60)Coγ射线总剂量辐照实验。实验结果表明,在两种辐射条件下NMOS晶体管的背栅阈值电压漂移量都会随着辐照剂量的升高而趋于饱和。实验分析并研究了这种现象的机理,并发现在较低的辐照剂量下~(60)Coγ射线造成的背栅阈值电压漂移量较大,但在高剂量条件下X射线造成的漂移量将超过~(60)Coγ射线。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51218]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田浩,张正选,张恩霞,等. SOI NMOS晶体管在高剂量的X射线与~(60) Coγ射线辐射作用下的背栅阈值电压漂移饱和效应的研究及比对[J]. 功能材料与器件学报,2007(06). |
| APA | 田浩,张正选,张恩霞,贺威,俞文杰,&王茹.(2007).SOI NMOS晶体管在高剂量的X射线与~(60) Coγ射线辐射作用下的背栅阈值电压漂移饱和效应的研究及比对.功能材料与器件学报(06). |
| MLA | 田浩,et al."SOI NMOS晶体管在高剂量的X射线与~(60) Coγ射线辐射作用下的背栅阈值电压漂移饱和效应的研究及比对".功能材料与器件学报 .06(2007). |
入库方式： OAI收割
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