Pseudo-MOS方法表征SIMOX SOI材料总剂量辐照效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨慧 ; 张正选 ; 张恩霞 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | Pb1-xMnxTe外延薄膜 红外透射谱 折射率 光学带隙 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 为了缩短SOI材料的改性研究周期,利用pseudo-MOS方法研究了SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应。试验采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料,通过对比改性前后样品在辐照前后的pseudo-MOSFET ID-VG特性曲线,分析改性工艺的影响。研究结果表明,合适的改性工艺能有效提高材料抗总剂量辐照效应的能力,pseudo-MOS方法在大大缩短SOI材料改性周期的基础上,能准确、快捷地对材料的总剂量辐照效应进行表征。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51240]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨慧,张正选,张恩霞. Pseudo-MOS方法表征SIMOX SOI材料总剂量辐照效应[J]. 功能材料与器件学报,2007(03). |
| APA | 杨慧,张正选,&张恩霞.(2007).Pseudo-MOS方法表征SIMOX SOI材料总剂量辐照效应.功能材料与器件学报(03). |
| MLA | 杨慧,et al."Pseudo-MOS方法表征SIMOX SOI材料总剂量辐照效应".功能材料与器件学报 .03(2007). |
入库方式： OAI收割
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