BOE溶液腐蚀PN结N型区域现象
文献类型:期刊论文
作者 | 王慧泉 ; 金仲和 ; 李铁 ; 马慧莲 ; 王跃林 |
刊名 | 纳米技术与精密工程
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出版日期 | 2007 |
期号 | 04 |
关键词 | 全球定位系统 无线电掩星 地球大气 气象应用 |
ISSN号 | 1672-6030 |
中文摘要 | 通过选择性离子注入,在硅片表面形成P区、N区紧密接触的PN结结构.实验发现,在黑暗条件下,PN结N型区域可被HF酸或BOE溶液选择性腐蚀;该腐蚀速率与HF酸溶液浓度有关,随环境温度升高而加快,腐蚀速率范围为0.25~3.5 nm/min;腐蚀后硅片表面平整.对腐蚀机理进行了初步讨论.结合氧化硅蚀刻缓冲液(BOE溶液)氧化硅牺牲层腐蚀技术,发展出一套硅纳米线加工工艺;利用该工艺,加工出特征尺寸小于100 nm的硅纳米线. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-01-06 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51250] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王慧泉,金仲和,李铁,等. BOE溶液腐蚀PN结N型区域现象[J]. 纳米技术与精密工程,2007(04). |
APA | 王慧泉,金仲和,李铁,马慧莲,&王跃林.(2007).BOE溶液腐蚀PN结N型区域现象.纳米技术与精密工程(04). |
MLA | 王慧泉,et al."BOE溶液腐蚀PN结N型区域现象".纳米技术与精密工程 .04(2007). |
入库方式: OAI收割
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