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BOE溶液腐蚀PN结N型区域现象

文献类型:期刊论文

作者王慧泉 ; 金仲和 ; 李铁 ; 马慧莲 ; 王跃林
刊名纳米技术与精密工程
出版日期2007
期号04
关键词全球定位系统 无线电掩星 地球大气 气象应用
ISSN号1672-6030
中文摘要通过选择性离子注入,在硅片表面形成P区、N区紧密接触的PN结结构.实验发现,在黑暗条件下,PN结N型区域可被HF酸或BOE溶液选择性腐蚀;该腐蚀速率与HF酸溶液浓度有关,随环境温度升高而加快,腐蚀速率范围为0.25~3.5 nm/min;腐蚀后硅片表面平整.对腐蚀机理进行了初步讨论.结合氧化硅蚀刻缓冲液(BOE溶液)氧化硅牺牲层腐蚀技术,发展出一套硅纳米线加工工艺;利用该工艺,加工出特征尺寸小于100 nm的硅纳米线.
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51250]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
王慧泉,金仲和,李铁,等. BOE溶液腐蚀PN结N型区域现象[J]. 纳米技术与精密工程,2007(04).
APA 王慧泉,金仲和,李铁,马慧莲,&王跃林.(2007).BOE溶液腐蚀PN结N型区域现象.纳米技术与精密工程(04).
MLA 王慧泉,et al."BOE溶液腐蚀PN结N型区域现象".纳米技术与精密工程 .04(2007).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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